| 型号： | IPW65R660CFD | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 700V 6.0A TO247 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPW65R660CFD PDF |  |
| 标准包装 | 240 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 700V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 660 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 200µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | PG-TO247-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | IPW65R660CFDFKSA1 SP000861700 |